[发明专利]具有横向耦合结构的非易失性存储单元及其阵列

权利要求书

1.一种非易失性存储NVM单元，包括：

第一有源区，沿第一方向延伸；

第一导电类型的第一结区至第三结区，设置在所述第一有源区中；

浮栅，与所述第一有源区的第一区相交，且沿第二方向延伸；

选择栅极，与所述第一有源区的第二区相交，且沿所述第二方向延伸；以及

电介质层，设置在所述浮栅与所述选择栅极之间，

其中，所述选择栅极包括所述第一导电类型的第一选择栅极和第二导电类型的第二选择栅极，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极彼此接触而构成平面的结结构。

2.如权利要求1所述的NVM单元，其中，所述第一导电类型是N型，而所述第二导电类型是P型。

3.如权利要求1所述的NVM单元，

其中，所述第一有源区的所述第一区是在所述第一结区与所述第二结区之间的第一沟道区；以及

其中，所述第一有源区的所述第二区是在所述第二结区与所述第三结区之间的第二沟道区。

4.如权利要求1所述的NVM单元，

其中，所述第一选择栅极与所述第一有源区的第一区交叠；以及

其中，所述第二选择栅极与所述第一有源区不交叠。

5.如权利要求4所述的NVM单元，其中，所述第一选择栅极沿所述第二方向的长度大于所述第二选择栅极沿所述第二方向的长度。

6.如权利要求4所述的NVM单元，还包括：

字线，耦接到所述第一选择栅极；

位线，耦接到所述第一结区；以及

源极线，耦接到所述第三结区。

7.如权利要求4所述的NVM单元，还包括：

读取/擦除字线，耦接到所述第一选择栅极；

编程字线，耦接到所述第二选择栅极；

位线，耦接到所述第一结区；以及

源极线，耦接到所述第三结区。

8.如权利要求1所述的NVM单元，还包括：

第一栅极绝缘层，设置在所述浮栅与所述第一有源区的第一区之间；以及

第二栅极绝缘层，设置在所述选择栅极与所述第一有源区的第二区之间。

9.一种非易失性存储NVM单元阵列，包括：

多个有源区，沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔开排列；

多个选择栅极，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向彼此间隔开排列，其中，所述多个选择栅极中的每个与所述多个有源区相交；

多个浮栅，设置成平行于所述多个选择栅极，其中，所述多个浮栅中的每个仅与所述多个有源区中的一个相交；以及

电介质层，设置在所述多个浮栅中的每个与邻近于该浮栅的选择栅极之间，

其中，所述多个选择栅极中的每个包括第一导电类型的第一选择栅极和第二导电类型的第二选择栅极，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极沿第二方向交替排列为平面结构。

10.如权利要求9所述的NVM单元阵列 ，其中，所述第一导电类型是N型，而所述第二导电类型是P型。

11.如权利要求9所述的NVM单元阵列，

其中，所述第一选择栅极中的每个与所述多个有源区中的任意一个交叠；以及

其中，所述第二选择栅极中的每个与所述多个有源区都不交叠。

12.如权利要求9所述的NVM单元阵列，其中，所述多个有源区中的每个包括所述第一导电类型的第一结区、所述第一导电类型的第二结区和所述第一导电类型的第三结区。