[发明专利]具有增强稳定性的垂直自旋转移扭矩存储器（pSTTM）器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201680091293.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110024150A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | MD.T.拉曼;C.J.魏甘德;K.奥古茨;J.S.布罗克曼;D.G.奥埃莱特;B.默茨;K.P.奥布赖恩;M.L.多齐;B.S.多伊尔;O.戈隆茨卡;T.加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于pSTTM存储器器件的材料层堆叠包括磁隧道结（MTJ）堆叠、氧化物层、保护层和覆盖层。MTJ包括固定磁性层、设置在固定磁性层的隧道势垒以及设置在隧道势垒上的自由磁性层。能够增加pSTTM材料层堆叠的垂直度的氧化物层设置在自由磁性层上。保护层设置在氧化物层上，并且在后续层沉积期间防止物理溅射损伤的对氧化物的保护屏障。在保护层上设置具有低氧亲和力的导电覆盖层，以减少自由磁性层与氧化物层之间的界面处的铁‑氧去混成。导电覆盖层的固有非氧清除性质增强了稳定性并降低了pSTTM器件中的保持力损失。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 自由磁性层 保护层 堆叠 导电覆盖层 固定磁性层 隧道势垒 材料层 存储器器件 存储器 磁隧道结 自旋转移 垂直度 覆盖层 后续层 界面处 氧化物 亲和力 低氧 非氧 溅射 沉积 损伤 垂直 屏障 | ||
【主权项】：
1.一种用于pSTTM器件的材料层堆叠，所述材料层堆叠包括：磁隧道结（MTJ），所述磁隧道结包括固定磁性层、设置在所述固定磁性层上方的隧道势垒和设置在所述隧道势垒上的自由磁性层；设置在所述自由磁性层上的氧化物层；设置在所述氧化物层上的保护层；以及直接设置在所述保护层上的导电覆盖层，所述导电覆盖层具有低氧亲和力。
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