[发明专利]具有鳍部端部应力引发特征的半导体设备在审
| 申请号： | 201680090565.0 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109863606A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | B.何;M.L.哈滕多夫;J.L.卢斯;E.L.梅斯;E.J.汤普森 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有鳍部端部应力引发特征的半导体设备以及制造具有鳍部端部应力引发特征的半导体设备的方法。在示例中，半导体结构包括突出穿过衬底上面的沟槽隔离区域的半导体鳍部。该半导体鳍部具有顶部表面、第一端部、第二端部以及在第一端部与第二端部之间的一对侧壁。栅极电极处于半导体鳍部的顶部表面的区域上面并且横向地邻近一对侧壁的区域。栅极电极处于半导体鳍部的第一端部与第二端部之间。第一介电插塞处于半导体鳍部的第一端部处。第二介电插塞处于半导体鳍部的第二端部处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍部 第二端部 第一端部 半导体设备 应力引发 鳍部 顶部表面 栅极电极 侧壁 插塞 介电 沟槽隔离区域 半导体结构 衬底 邻近 穿过 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：半导体鳍部，其突出穿过衬底上面的沟槽隔离区域，所述半导体鳍部具有顶部表面、第一端部、第二端部以及在所述第一端部与所述第二端部之间的一对侧壁；栅极电极，其处于所述半导体鳍部的顶部表面的区域上面并且横向地邻近所述一对侧壁的区域，所述栅极电极处于所述半导体鳍部的第一端部与第二端部之间；处于所述半导体鳍部的第一端部处的第一介电插塞；以及处于所述半导体鳍部的第二端部处的第二介电插塞，其中第一和第二介电插塞均包括第一介电材料，所述第一介电材料横向地围绕并处于与所述第一介电材料不同的第二介电材料下面。
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