[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池有效
申请号: | 201680090007.4 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN109844961B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 渡部武纪;三田怜;桥上洋;大塚宽之 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明是一种太阳能电池的制造方法,具有:准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法,其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板,测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤,基于被测定的位置关系,对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板,在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此,提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移,且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 光电 变换 效率 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制造方法,具有准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的前述介电体膜的步骤、沿着前述介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法,其特征是,具有对于实施部分地去除前述介电体膜的步骤与形成前述电极的步骤之后的半导体基板,测定前述介电体膜部分地被去除的领域的位置与前述形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤,基于前述被测定的位置关系,对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板,在调整部分地去除前述介电体膜的领域的位置后部分地去除前述介电体膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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