[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201680090007.4 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN109844961B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 渡部武纪;三田怜;桥上洋;大塚宽之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明是一种太阳能电池的制造方法,具有:准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法,其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板,测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤,基于被测定的位置关系,对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板,在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此,提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移,且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
搜索关键词: 光电 变换 效率 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制造方法,具有准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的前述介电体膜的步骤、沿着前述介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法,其特征是,具有对于实施部分地去除前述介电体膜的步骤与形成前述电极的步骤之后的半导体基板,测定前述介电体膜部分地被去除的领域的位置与前述形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤,基于前述被测定的位置关系,对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板,在调整部分地去除前述介电体膜的领域的位置后部分地去除前述介电体膜。
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