[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，具有准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的前述介电体膜的步骤、沿着前述介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是，

具有对于实施部分地去除前述介电体膜的步骤与形成前述电极的步骤之后的半导体基板，测定前述介电体膜部分地被去除的领域的位置与前述形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于前述位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除前述介电体膜的领域的位置后部分地去除前述介电体膜。

2.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述相对的位置关系的测定、一一在前述半导体基板的面内选择出的坐标进行，而且，将部分地去除前述介电体膜的领域的位置的调整、一一对该选择出的坐标进行。

3.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述半导体基板的面内分割成多个领域，一一对被分割后的领域分配代表该领域的坐标，将前述相对的位置关系的测定、一一对前述被分割后的领域被分配的坐标进行，而且，将部分地去除前述介电体膜的领域的位置的调整、一一对该被分配的坐标进行。

4.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述相对的位置关系的测定、仅针对前述电极的长边方向所正交的方向进行。

5.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述电极的形成、采用网版印刷法进行。

6.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

将前述介电体膜的部分的去除、使用激光进行。

7.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

在部分地去除前述介电体膜的步骤之后、形成前述电极的步骤之前，在前述介电体膜部分地被去除的领域让不纯物扩散、形成扩散层。

8.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，

作为前述半导体基板，准备在前述第一主表面具有扩散层的基板。

9.根据权利要求1至8中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，

通过部分地去除前述介电体膜，将除去该介电体膜的领域的每单位面积的介电体膜量作成在未去除前述介电体膜的领域的每单位面积的介电体膜量的1/10以下。

10.一种太阳能电池，在半导体基板的第一主表面，具有基底层与邻接该基底层的射极层，在前述基底层上配置电极的太阳能电池，其特征是，

前述基底层在前述第一主表面上具有长度与幅宽的线状领域；该线状领域具有比前述线状领域的长度短的直线状领域；该直线状领域包含被配置在前述线状领域的从其他直线状领域的延长上偏移的位置者；

前述射极层是在前述基底层与邻接在该基底层的前述射极层的边界，具有从前述射极层侧起凸出的楔状领域；前述楔状领域底边部的长度为1μm以上20μm以下；该楔状领域顶部的角度为70°以上110°以下。

11.根据权利要求10记载的太阳能电池，其中，

前述基底层的幅宽是50μm以上250μm以下；前述电极的幅宽是30μm以上200μm以下。