[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池

说明书

本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。

技术领域

本发明是有关高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池。

背景技术

作为采用单结晶或多结晶半导体基板的具有比较高的光电变换效率的太阳能电池构造之一，有将正负的电极全部设在非受光面(背面)的背面电极型太阳能电池。图1显示背面电极型太阳能电池的背面的概观。射极层102及基底层101为交互地被配列，且沿着各个层在层上设置电极(103、104)。射极层幅宽是数mm～数百μm，基底层幅宽则是数百μm～数十μm。此外，电极幅宽数百～数十μm左右为一般，该电极多被称呼为指状电极。

图2显示背面电极型太阳能电池的剖面构造的模式图。在基板202的背面的最表层附近形成射极层102及基底层101。各层的厚度为至多1μm左右。在各层上设置指状电极(205、206)，非电极领域的表面是由氮化硅膜或氧化硅膜等的背面保护膜207所覆盖。受光面侧在减低反射损失的目的下，设置反射防止膜201。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-332273号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在背面电极型的太阳能电池的制法上的问题点之一，有基底层与基极电极的偏移。在以印刷法形成电极的场合由于版的伸展会随经时或每一制版而改变，所以要沿着上述之类的幅宽数百μm～数十μm的基底层将幅宽数百～数十μm的电极安定形成是极为困难的。要缓和该偏移而扩展基底层幅宽是制法上最简单的，而扩展基底层幅宽时会让变换效率降低，是在例如专利文献1所公知。如考虑制造成本则印刷法是最有效，有必要确立基底层幅宽在维持下以印刷法产出率佳地电极形成的方法。

本发明是有鉴于上述问题点而作成，目的在于提供可以减少基底层与基极电极的偏移、使太阳能电池的制造产出率提升的高光电变换效率太阳能电池的制造方法。此外，本发明的目的在于提供基底层与基极电极的偏移小、特性佳的高光电变换效率太阳能电池。再者，本发明的目的在于提供可以减少基底层与基极电极的偏移、使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造系统。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、

部分地去除该半导体基板的前述介电体膜的步骤、与

沿着前述介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤，

其特征为：

具有对于实施部分地去除前述介电体膜的步骤与形成前述电极的步骤之后的半导体基板，测定前述介电体膜部分地被去除的领域的位置与前述形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，

基于前述被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除前述介电体膜的领域的位置后部分地去除前述介电体膜。