[发明专利]基于雪崩光电二极管的图像感测器有效
| 申请号: | 201680086483.9 | 申请日: | 2016-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN109314153B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
| 发明(设计)人: | 曹培炎;刘雨润 | 申请(专利权)人: | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107 |
| 代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 罗水江 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本文公开这样的装置,其包括:雪崩光电二极管(APD)阵列,APD中的每个包括吸收区和放大区;其中吸收区配置成从吸收区所吸收的光子产生载流子;其中放大区包括结,在该结中具有电场;其中电场处于足以导致进入放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值;其中APD的结是离散的。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 雪崩 光电二极管 图像 感测器 | ||
【主权项】:
1.一种装置,其包括:雪崩光电二极管(APD)阵列,所述APD中的每个包括吸收区和放大区;其中所述吸收区配置成从所述吸收区所吸收的光子产生载流子;其中所述放大区包括结,在所述结中具有电场;其中所述电场处于足以导致进入所述放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值;其中所述APD的结是离散的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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