[发明专利]衬底处理装置、金属部件及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201680085927.7 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109155253A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 稻田哲明;定田拓也;原大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供下述衬底处理装置，其具备：处理室，其收容衬底；处理气体供给系统，其将包含过氧化氢的处理气体导入处理室内；和排气系统，其对处理室内进行排气，其中，处理室、处理气体供给系统及排气系统中的至少任一者由金属部件构成，暴露于处理气体或处理气体液化而产生的液体的金属部件中的至少任一者由包含铁元素的材料构成，金属部件的暴露于处理气体或液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。由此可降低衬底处理装置的部件所受到的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 金属部件 处理气体 衬底处理装置 处理气体供给系统 排气系统 室内 半导体器件 过氧化氢的 烘烤处理 铁元素 暴露 氧化物 衬底 排气 液化 收容 损伤 制造 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，其具备：处理室，其收容衬底；处理气体供给系统，其将包含过氧化氢的处理气体导入所述处理室内；排气系统，其对所述处理室内进行排气，其中，所述处理室、所述处理气体供给系统及所述排气系统中的至少任一者由金属部件构成，暴露于所述处理气体或所述处理气体液化而产生的液体的所述金属部件中的至少任一者由包含铁元素的材料构成，所述金属部件的暴露于所述处理气体或所述液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对所述金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
