[发明专利]等离子处理装置及方法有效
| 申请号： | 201680083905.7 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108885983B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 浅野敬祐;山田贤一;川崎智弘;沼川信孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社JCU |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极，在喷吹面板(33)上连接负极，而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过，产生等离子。通过产生的等离子，将基板(11)的表面的污染物质除去。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，具备：被处理物保持部件，保持被处理物；真空槽，收纳上述被处理物保持部件，该真空槽的内部被抽真空；成为负电极的板状的喷吹面板，具有多个喷吹孔，上述多个喷吹孔用于向被上述被处理物保持部件保持的上述被处理物输送工艺气体；以及正电极面板，配置在上述喷吹面板与上述被处理物保持部件之间，上述正电极面板是通过排列多个棒状电极而构成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
