[发明专利]等离子处理装置及方法有效
申请号: | 201680083905.7 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN108885983B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 浅野敬祐;山田贤一;川崎智弘;沼川信孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社JCU |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/3065 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 方法 | ||
提供一种对于作为被处理物的基板均匀地进行基于等离子的表面处理的等离子处理装置及方法。将基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到处理室(14)内。对置于基板(11)的表面而配置有正电极面板(32)。工艺气体被从喷吹面板(33)朝向正电极面板(32)及基板(11)输送。在正电极面板(32)上连接高频电源的正极,在喷吹面板(33)上连接负极,而施加高频电压。工艺气体在作为负电极的喷吹面板(33)与正电极面板(32)之间通过,产生等离子。通过产生的等离子,将基板(11)的表面的污染物质除去。
技术领域
本发明涉及在真空的处理室内对被处理物进行等离子处理的等离子处理装置及方法。
背景技术
已知有在被设为真空的处理室内作为被处理物而对于例如基板使用等离子进行各种处理的等离子处理装置。作为等离子处理,例如有将基板表面的脏污除去的清洁、蚀刻、将在基板上形成贯通孔时附着在该贯通孔的壁面上的树脂残渣(污迹)除去的去污(desmear)、将基板表面的抗蚀剂(有机物)的残渣(渣滓)除去的去渣等。在等离子处理中,在将处理室内设为真空而从高频电源向一对电极间施加了高频电压的状态下导入工艺气体。由此,使工艺气体等离子化。并且,通过产生的等离子中的原子团或离子接触或碰撞在被处理物的表面上,例如将表面的脏污除去而进行清洁。
例如,在日本特开平8-37178号公报所记载的灰化装置中,将作为被处理物的基板配置到处理室内的一对平板电极之间,进行用等离子将抗蚀剂灰化(Ashing)而除去的灰化处理。在一对平板电极的一方上施加高频电压,将另一方接地。并且,在将基板载置在被接地的电极上的状态下导入工艺气体,产生等离子而进行处理。
此外,在日本特开2008-186994号公报所记载的等离子清洗装置中,以夹着作为被处理物的基板的方式配置一对电极,并且从一方的电极侧朝向另一方的电极导入工艺气体,将基板进行等离子清洗。
发明内容
发明要解决的课题
另外,在由上述专利文献表示那样的等离子处理装置中,采用将作为被处理物的基板配置在一对电极间的结构,基板被置于等离子中。因此,基板表面的等离子的量变得过大,容易给基板带来伤害。此外,基板表面的等离子的量及分布的调整不容易,难以将基板表面均匀地进行处理。
本发明的目的是提供一种当对于被处理物进行等离子处理时、对于被处理物供给充分的等离子、此外等离子的供给量容易调整的等离子处理装置及方法。
用来解决课题的手段
本发明的等离子处理装置具备被处理物保持部件、真空槽、喷吹面板和正电极面板。被处理物保持部件保持被处理物。真空槽收纳被处理物保持部件,内部被抽真空。喷吹面板具有用于向被被处理物保持部件保持的被处理物输送工艺气体的多个喷吹孔,该喷吹面板为负电极,被形成为板状。正电极面板是将多个棒状电极排列而构成的,被配置在喷吹面板及被处理物保持部件之间。
另外,优选的是,被处理物是板状,成为负电极的喷吹面板的表面、正电极面板、和被被处理物保持部件保持的被处理物相互平行地配置。优选的是,喷吹孔朝向电极面板的多个棒状电极之间而进行开口,并且被配置为矩阵。优选的是,喷吹面板在内部具备具有多个整流孔的整流板。另外,所谓平行,也包括一方相对于另一方倾斜±15°的大致平行。
优选的是,真空槽在被分离为第1槽及第2槽的分离状态、和第1槽及第2槽被结合而能够进行抽真空的结合状态之间变位,在分离状态下进行被处理物向被处理物保持部件的运入及运出。
优选的是,第1槽具有被处理物保持部件和工艺气体的排出孔;第2槽具有喷吹面板和电极面板;在第1槽及第2槽的至少一方具有大气开放孔。
优选的是,被处理物保持部件在使被处理物的两面露出的状态下保持被处理物;喷吹面板和电极面板夹着被处理物被设置在被处理物的两面,对被处理物的两面进行等离子处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造