[发明专利]用于光学MEMS干涉仪中的反射镜定位的自校准有效

专利信息
申请号: 201680074302.0 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN108474690B 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: M·安瓦尔;M·梅德哈特;B·莫塔达;A·O·埃尔沙特;M·加德西夫;M·纳吉;B·A·萨达尼;A·N·哈菲兹 申请(专利权)人: 斯维尔系统
主分类号: G01J3/06 分类号: G01J3/06;G01B9/02;G01J3/453
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅;董典红
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 微机电系统(MEMS)装置提供干涉仪的可移动反射镜的反射镜定位的自校准。MEMS装置中的至少一个反射镜包括非平面表面。可移动反射镜被耦合到具有可变电容的MEMS致动器。MEMS装置包括电容感测电路,用于确定在可移动反射镜的多个参考位置处的所述MEMS致动器的电容,所述多个参考位置对应于由干涉仪基于所述非平坦表面产生的干涉图的中心突发和一个或多个次级突发。校准模块使用在参考位置处的致动器电容来补偿电容感测电路中的任何漂移。
搜索关键词: 用于 光学 mems 干涉仪 中的 反射 定位 校准
【主权项】:
1.一种微机电系统(MEMS)装置,包括:MEMS干涉仪,所述MEMS干涉仪包括:至少一个反射镜,所述至少一个反射镜被光学耦合为接收并反射光并且被配置为从所述光产生干涉图,所述至少一个反射镜中的第一反射镜具有非平面表面;和MEMS致动器,所述MEMS致动器被耦合到所述至少一个反射镜中的可移动反射镜以产生所述可移动反射镜的移位,所述MEMS致动器具有可变电容;存储器,所述存储器维护一个将所述MEMS致动器的所存储电容映射到所述可移动反射镜的相应的所存储位置的表;电容感测电路,所述电容感测电路被耦合到所述MEMS致动器,所述电容感测电路被配置为:感测所述MEMS致动器在所述可移动反射镜的第一参考位置处的第一测量电容,所述第一参考位置对应于由于所述可移动反射镜的移动而产生的所述干涉图的中心突发;和感测所述MEMS致动器在所述可移动反射镜的第二参考位置处的第二测量电容,所述第二参考位置对应于由于所述非平面表面和所述可移动反射镜的移动而产生的所述干涉图的次级突发;和校准模块,所述校准模块被配置为使用在所述第一参考位置处的所述第一测量电容和在所述第二参考位置处的所述第二测量电容来确定要施加到所述表中的所存储的电容的校正量。
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