[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680071937.5 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN108401469B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 张胜现;崔宇镇 申请(专利权)人: 威科股份有限公司
主分类号: H01L31/0392 分类号: H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司: 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 代理人: 许振强;杜正国
地址: 韩国大*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池包括:电极层,形成在基板上;光吸收层,形成在所述电极层上;第一缓冲层,通过原子层沉积(ALD)工艺形成在所述光吸收层上,所述第一缓冲层通过交替层叠硫化镉(CdS)和硫化锌(ZnS)而形成;第二缓冲层,通过原子层沉积工艺形成在所述第一缓冲层上,所述第二缓冲层通过交替层叠氧化锌(ZnO)和硫化锌(ZnS)而形成;以及窗口层,形成在所述第二缓冲层上。通过原子层沉积工艺在光吸收层和窗口层之间形成交替重复地层叠有硫化镉(CdS)和硫化锌(ZnS)的第一缓冲层和交替重复地层叠有氧化锌(ZnO)和硫化锌(ZnS)的第二缓冲层,可以减少光吸收层、缓冲层和窗口层之间的带偏移和晶格失配,并且可以提高太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其中,包括:电极层,形成在基板上;光吸收层,形成在所述电极层上;第一缓冲层,通过原子层沉积工艺形成在所述光吸收层上,所述第一缓冲层通过交替层叠硫化镉和硫化锌而形成;第二缓冲层,通过原子层沉积工艺形成在所述第一缓冲层上,所述第二缓冲层通过交替层叠氧化锌和硫化锌而形成;以及窗口层,形成在所述第二缓冲层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威科股份有限公司,未经威科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680071937.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top