[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其中，

包括：

电极层，形成在基板上；

光吸收层，形成在所述电极层上；

第一缓冲层，通过原子层沉积工艺形成在所述光吸收层上，所述第一缓冲层通过交替层叠硫化镉和硫化锌而形成；

第二缓冲层，通过原子层沉积工艺形成在所述第一缓冲层上，所述第二缓冲层通过交替层叠氧化锌和硫化锌而形成；以及

窗口层，形成在所述第二缓冲层上，

其中，所述第一缓冲层包含Cd_xZn_1-xS，其中所述x在0.5至0.67的范围内，

其中，所述第二缓冲层具有10％至25％的作为硫和氧的组成比的S/(O+S)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，

所述第一缓冲层被形成为具有10nm至20nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，

所述第二缓冲层被形成为具有10nm至20nm的厚度。

4.一种太阳能电池的制造方法，其中，

包括：

在基板上形成电极层的步骤；

在所述电极层上形成光吸收层的步骤；

通过原子层沉积工艺在所述光吸收层上交替重复地沉积硫化镉和硫化锌以形成第一缓冲层的步骤；

通过原子层沉积工艺在所述第一缓冲层上交替重复地沉积氧化锌和硫化锌以形成第二缓冲层的步骤；以及

在所述第二缓冲层上形成窗口层的步骤，

其中，所述第一缓冲层包含Cd_xZn_1-xS，其中所述x在0.5至0.67的范围内，

其中，所述第二缓冲层具有10％至25％的作为硫和氧的组成比的S/(O+S)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第一缓冲层被形成为具有10nm至20nm的厚度。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，

在形成所述第一缓冲层时，通过在沉积硫化锌之前沉积硫化镉来形成所述第一缓冲层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第二缓冲层被形成为具有10nm至20nm的厚度。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第一缓冲层和所述第二缓冲层在90℃至130℃的温度下形成。