[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680067695.2 | 申请日： | 2016-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN108352437B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 奥村圭佑;本田哲士 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/08 | 分类号： | H01L35/08;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其在将半导体元件以利用两片绝缘基板夹住的方式进行固定时，能够防止半导体元件发生位置偏移、倾斜。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序A，得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体；工序B，在工序A之后，借助在第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上，从而得到半导体装置前体；以及工序C，在工序B之后，将第一烧结前层和第二烧结前层同时加热，从而将半导体元件接合于第一电极和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：工序A，得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体；工序B，在所述工序A之后，借助在所述第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将所述半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上，从而得到半导体装置前体；以及工序C，在所述工序B之后，将所述第一烧结前层和所述第二烧结前层同时加热，将所述半导体元件接合于所述第一电极和所述第二电极。
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