[发明专利]晶片抛光腔室和包括晶片抛光腔室的晶片抛光系统有效
申请号: | 201680065483.0 | 申请日: | 2016-01-06 |
公开(公告)号: | CN108352312B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 李相昊 | 申请(专利权)人: | 爱思开矽得荣株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲;钱慰民 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施例的一个方面提供了一种晶片抛光腔室,其包括晶片传输部分;抛光部分,设置有上表面板和下表面板,并且被配置成抛光从晶片传输部分传输的晶片;分隔壁,被配置成将设置有传输部分和抛光部分的位置分隔开;多个风扇单元,被配置为引入空气;以及多个排气单元,被配置成排出空气,其中风扇单元可以被设置在抛光部分的上部中的至少一个中。 | ||
搜索关键词: | 晶片 抛光 包括 系统 | ||
【主权项】:
1.一种晶片抛光腔室,包括:晶片传输部分;抛光部分,设置有上表面板和下表面板,并且被配置成抛光从所述晶片传输部分传输的所述晶片;分隔壁,被配置成将设置有所述传输部分和所述抛光部分的位置分隔开;多个风扇单元,被配置成引入空气;以及多个排气单元,被配置成排出空气,其中,所述风扇单元被设置为所述抛光部分的上部中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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