[发明专利]薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201680063662.0 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108352411B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 今泽贵史;藤野俊明;本谷宗 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/477;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种薄膜晶体管基板，矩阵状地排列有多个像素，其中，像素具备薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管具有：栅电极，配设于基板上，并由金属构成；栅极绝缘膜，至少覆盖栅电极；半导体层，隔着栅极绝缘膜而设置于与栅电极相对的位置，半导体层由氧化物半导体构成；源电极及漏电极，与半导体层相接；以及层间绝缘膜，至少设置于半导体层、源电极及漏电极之上，像素电极与漏电极电连接，栅电极具有2.5×10 |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，矩阵状地排列有多个像素，所述薄膜晶体管基板的特征在于，所述像素具备薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管具有：栅电极，配设于基板上，所述栅电极由金属构成；栅极绝缘膜，至少覆盖所述栅电极；半导体层，隔着所述栅极绝缘膜而设置于与所述栅电极相对的位置，所述半导体层由氧化物半导体构成；源电极及漏电极，与所述半导体层相接；以及层间绝缘膜，至少设置于所述半导体层、所述源电极及所述漏电极之上，所述像素电极与所述漏电极电连接，所述栅电极具有2.5×1020～2×1022atoms/cm3的氢吸留能力，所述半导体层的氢浓度是1×1016～3×1020atoms/cm3。
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