[发明专利]双面电池制造方法

摘要

本文公开一种生产双面光伏电池的方法，该方法包括：a)在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；b)通过溅射硼和/或通过硼离子注入在衬底的第二表面上形成含硼层；和c)实现将n型掺杂剂和硼扩散到衬底中，从而用n型掺杂剂掺杂第一表面并用硼掺杂第二表面。本文还公开双面光伏电池，以及包括所述光伏电池的光伏模块、发电厂和电力设备，该双面光伏电池包括半导体衬底、在半导体衬底的第一表面上的n+层和在半导体衬底的第二表面上的含硼p+层，其中p+层中的硼浓度的可变性不超过5％。

主权项

1.一种生产双面光伏电池的方法，所述方法包括：a)在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；b)通过溅射硼和/或通过硼离子注入在所述半导体衬底的第二表面上形成含硼层；以及c)实现将所述n型掺杂剂和所述硼扩散到所述半导体衬底中，从而用所述n型掺杂剂掺杂所述第一表面并用所述硼掺杂所述第二表面。