[发明专利]双面电池制造方法

权利要求书

1.一种生产双面光伏电池的方法，所述方法包括：

a）通过溅射硼和/或通过硼离子注入在半导体衬底的第二表面上形成含硼层；

b）在所述含硼层上方形成帽盖层；

c）在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；

d）实现将所述n型掺杂剂和所述硼扩散到所述半导体衬底中，从而用所述n型掺杂剂掺杂所述第一表面并用所述硼掺杂所述第二表面；

e）通过纹理化去除所述第一表面上的n型掺杂层，以便伴随地去除其他地方存在的任何n型掺杂层；

f）去除所述帽盖层；

g）在所述第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层；

h）用n型掺杂剂掺杂所述第一表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼层的厚度在1 nm至35 nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射硼使用氮化硼靶实现。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼离子注入的特征在于在10¹⁴个注入离子/平方厘米至10¹⁶个注入离子/平方厘米的范围内的剂量。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述含硼层中的硼量的可变性不超过±5%。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过沉积物质实现形成所述帽盖层，所述物质选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组。

7.根据权利要求1或6中任一项所述的方法，其中通过射频溅射实现形成所述帽盖层。

8.根据权利要求1或6中任一项所述的方法，其中所述帽盖层的厚度在5 nm至30 nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中用n型掺杂剂掺杂所述第一表面（步骤h）形成n⁺层，所述n⁺层的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。

10.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，还包括在所述第一表面和所述第二表面中的每个上形成电触点。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述含硼层在所述第二表面的一些区域中具有较大的厚度，所述方法包括在所述第二表面的所述区域上选择性地形成电触点。

12.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，其中所述半导体衬底是p型半导体。

13.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，其中所述半导体衬底包含硅。

14.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，还包括在所述第二表面上形成SiB层。

15.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，还包括在所述第二表面的边缘上形成区域，通过在步骤（a）期间掩蔽所述区域，所述区域具有在0.1 mm至0.5 mm的范围内的宽度，所述区域基本上不含硼。

16.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，还包括在所述第二表面的边缘上形成区域，通过在步骤（a）之后、任选地在步骤（b）之前蚀刻所述区域，所述区域具有在0.1 mm至0.5 mm的范围内的宽度，所述区域基本上不含硼。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述蚀刻所述区域通过反应离子蚀刻实现。

18.根据权利要求1或9中任一项所述的方法，其中同时实现所述n型掺杂剂的所述扩散和所述硼的所述扩散。