[发明专利]光伏器件及其制造方法

摘要

提出了一种光伏器件，该光伏器件包括具有p型掺杂或n型掺杂的硅基衬底(2)，其中本征缓冲层(4)位于所述衬底上。第一类型掺杂的第一硅层(6)位于本征缓冲层的预定区域(4a)上。第一硅层具有处于所述预定区域(4a)之间的间隙(5)。第一硅层在其远离衬底的这一侧至少部分地包括微晶层。第二类型掺杂的微晶硅层(8)位于所述第一硅层(6)上。第二类型掺杂的第三硅层(10)在位于所述本征缓冲层上的间隙处，第三硅层在其面对所述硅基衬底的这一侧是非晶的并且在远离本征缓冲层的这一侧至少部分地包括微晶层部分。

主权项

1.一种光伏器件(1)，包括：‑硅基衬底(2)，所述硅基衬底具有p型掺杂或n型掺杂并且具有第一面(2a)；‑本征缓冲层(4)，所述本征缓冲层位于所述第一面上；‑第一硅层(6)，所述第一硅层位于所述本征缓冲层(4)上，所述第一硅层(6)具有为p型掺杂或n型掺杂中的一种的第一类型掺杂，所述第一硅层(6)为经图案化的层，所述第一硅层位于所述本征缓冲层(4)的预定区域(4a)上并且具有处于所述预定区域(4a)之间的间隙(5)，所述第一硅层(6)在其远离所述硅基衬底(2)的这一侧至少部分地包括微晶层；‑微晶的第二硅层(8)，所述第二硅层位于所述第一硅层(6)上，所述第二硅层(8)具有第二类型掺杂，所述第二类型掺杂为所述p型掺杂或n型掺杂中相对于所述第一硅层(6)的所述掺杂的另一类掺杂；其特征在于，所述光伏器件(1)还包括：‑第三硅层(10)，所述第三硅层位于所述本征缓冲层(4)上的所述间隙处，所述第三硅层(10)在其面对所述硅基衬底(2)的这一侧是非晶的并且具有所述第二类型掺杂，所述第三硅层(10)在远离所述本征缓冲层(4)的这一侧至少部分地包括微晶层部分(10b)；‑导电垫片(12)，所述导电垫片位于所述第二硅层(8)和所述第三硅层(10)上，以及，所述第二硅层(8)和所述第三硅层(10)构成被定义为隧道层的单个层，其中所述隧道层的掺杂和厚度被选择成使得所述第二硅层(8)不妨碍所述光伏器件的电荷收集操作。