[发明专利]光伏器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光伏器件(1)，包括：

-硅基衬底(2)，所述硅基衬底具有p型掺杂或n型掺杂并且具有第一面(2a)；

-本征缓冲层(4)，所述本征缓冲层位于所述第一面上；

-第一硅层(6)，所述第一硅层位于所述本征缓冲层(4)上，所述第一硅层(6)具有为p型掺杂或n型掺杂中的一种的第一类型掺杂，所述第一硅层(6)为经图案化的层，所述第一硅层位于所述本征缓冲层(4)的预定区域(4a)上并且具有处于所述预定区域(4a)之间的间隙(5)，所述第一硅层(6)在其远离所述硅基衬底(2)的这一侧至少部分地包括微晶层；

-微晶的第二硅层(8)，所述第二硅层位于所述第一硅层(6)上，所述第二硅层(8)具有第二类型掺杂，所述第二类型掺杂为所述p型掺杂或n型掺杂中相对于所述第一硅层(6)的所述掺杂的另一类掺杂；

其特征在于，所述光伏器件(1)还包括：

-第三硅层(10)，所述第三硅层位于所述本征缓冲层(4)上的所述间隙处，所述第三硅层(10)在其面对所述硅基衬底(2)的这一侧是非晶的并且具有所述第二类型掺杂，所述第三硅层(10)在远离所述本征缓冲层(4)的这一侧至少部分地包括微晶层部分(10b)；

-导电垫片(12)，所述导电垫片位于所述第二硅层(8)和所述第三硅层(10)上，

以及，所述第二硅层(8)和所述第三硅层(10)构成被定义为隧道层的单个层，其中所述隧道层的掺杂和厚度被选择成使得所述第二硅层(8)不妨碍所述光伏器件的电荷收集操作。

2.根据权利要求1所述的光伏器件(1)，其中，所述第一硅层(6)完全是微晶的。

3.根据权利要求1或2所述的光伏器件(1)，其中，所述第三硅层(10)从其面对所述硅基衬底(2)的这一侧开始在介于1nm到5nm之间的距离内是非晶的。

4.根据权利要求3所述的光伏器件(1)，其中，所述第一硅层(6)从其面对所述硅基衬底(2)的这一侧开始在介于1nm到5nm之间的距离内是非晶的。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的光伏器件(1)，其中，所述第三硅层(10)从其远离所述硅基衬底(2)的这一侧开始在介于1nm到5nm之间的距离内至少部分地是微晶的。

6.根据权利要求5所述的光伏器件(1)，其中，所述第一硅层(6)从其远离所述硅基衬底(2)的这一侧开始在介于1nm到5nm之间的距离内至少部分地是微晶的。

7.根据任一项前述的权利要求所述的光伏器件(1)，其中，

-所述硅基衬底(2)是n型掺杂并且所述第一类型掺杂是n型掺杂；或

-所述硅基衬底(2)是n型掺杂而所述第一类型掺杂是p型掺杂；或

-所述硅基衬底(2)是p型掺杂而所述第一类型掺杂是n型掺杂；或

-所述硅基衬底(2)是p型掺杂并且所述第一类型掺杂是p型掺杂。

8.根据任一项前述的权利要求所述的光伏器件(1)，其中，所述硅基衬底(2)是单晶的。

9.根据任一项前述的权利要求所述的光伏器件(1)，还包括位于所述导电垫片与所述第二硅层(8)和所述第三硅层(10)中的至少一个之间的金属氧化物层。