[发明专利]非晶金属薄膜非线性电阻器有效
| 申请号： | 201680058239.1 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN108352358B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·威廉·缪尔 | 申请（专利权）人： | 非结晶公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非晶多组分金属膜(AMMF)可以用于改善例如电阻器、二极管及薄膜晶体管等电子元件的性能。AMMF的界面性能优于晶体金属膜，因此，AMMF和氧化膜界面处的电场更加均匀。AMMF电阻器(AMNR)可以构造为三层结构，包括非晶金属层、隧道绝缘体层和晶体金属层。通过修改材料的顺序、电极的图案及重叠区域的大小和数量，可以调节AMNR的I‑V性能特征。非共面AMNR具有五层结构，包括由金属氧化物隧道绝缘体层隔开的三个金属层，其中，使用非晶金属薄膜材料制造中电极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 非线性 电阻器 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包含：基板；第一非晶金属薄膜互连，其位于所述基板上，具有第一端和第二端；第二非晶金属薄膜互连，其具有第一端和第二端，所述第二非晶金属薄膜互连的第一端位于所述第一非晶金属薄膜互连的第一端上方并与之重叠；以及第三非晶金属薄膜互连，其具有第一端和第二端，所述第三非晶金属薄膜互连的第一端位于所述第二非晶金属薄膜互连的第二端上方并与之重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
