[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质

摘要

基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜、例如包含SiO2的膜。

主权项

1.一种基板处理方法，对基板的周缘部分进行处理，所述基板处理方法的特征在于，包括以下工序：基板旋转工序，保持基板并使该基板旋转，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜；第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。