[发明专利]在电子或电气设备上形成涂层的方法在审
| 申请号： | 201680046187.6 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108029198A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·理查德·科尔森;戴尔文·埃文斯;托马斯·黑尔维希;弗雷德·霍珀;内尔·波尔特;安杰里奇·西欧库;克莱夫·特尔福德 | 申请（专利权）人： | P2I有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/28 | 分类号： | H05K3/28;B05D1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王基才 |
| 地址： | 英国牛津郡艾宾顿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种电子或电气设备或其元件，通过将电子或电气设备或其元件暴露于包含一种或多种单体化合物的等离子体足够时间，以允许在其表面上形成保护性聚合物涂层而形成涂层；其中，保护性聚合物涂层在电子或电气设备或其元件的表面上形成物理屏障；其中，各单体为通式I(a)或通式I(b)所示的化合物： |
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| 搜索关键词： | 电子 电气设备 形成 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子或电气设备或其元件，其特征在于，通过将所述电子或电气设备或其元件暴露于包含一种或多种单体化合物的等离子体足够时间，以在其表面上形成保护性聚合物涂层而形成涂层；其中，所述保护性聚合物涂层在所述电子或电气设备或其元件的表面上形成物理屏障；其中，各单体为通式I(a)所示的化合物：1 至R9 各自独立地选自氢或卤素或任意取代的C1 -C6 支链或直链烷基；X各自独立地选自氢或卤素；a为0至10；b为2至14；c为0或1；当每个X为F或至少一个X为卤素时，特别是为F时，涂层中CX3 /C＝O的FTIR/ATR峰强度比小于(c+1)0.6e-0.1n ±0.01，其中n为a+b+c+1；当每个X为H时，CX3 /C＝O的FTIR/ATR强度比小于(c+1)0.25±0.02；或者通式I(b)所示的化合物：1 至R9 各自独立选自氢或卤素或任意取代的C1 -C6 支链或直链烷基；X各自独立地选自氢或卤素；a为0至10；b为2至14；c为0或1；当每个X为F或至少一个X为卤素时，特别是为F时，涂层中CX3 /C＝O的FTIR/ATR强度比小于(c+1)0.6e-0.1n ，其中，n为a+b+c+1；当每个X为H时，CX3 /C＝O中FTIR/ATR强度比小于(c+1)0.25±0.02；可选地，屏障为保形物理屏障。
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