[发明专利]一种面积效率的和可扩展CMOS性能的方法在审
| 申请号： | 201680046108.1 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN108140580A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 阿哈默德·侯萨姆·塔基 | 申请（专利权）人： | 阿哈默德·侯萨姆·塔基 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/265;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 仲伯煊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种引导设计方法，以基于SOI、SOS或SON技术中的任一种技术，在单支路MOS器件中优化器件性能，从而获得最佳的面积效率布局占位。相同的设计方法确实进一步涵盖替代BOX或蓝宝石的任何类型的绝缘和/或有机衬底。设计方法取决于本发明中还要求保护的新的专有器件结构。它允许实现方法的设计方程。 | ||
| 搜索关键词： | 面积效率 蓝宝石 支路 器件结构 优化器件 有机衬底 可扩展 占位 绝缘 涵盖 替代 | ||
【主权项】：
专有的基底结构/布局，在图2、图3A、图3B、图3C和图4中示出(图4是SON的情况)。所要求保护的权利要求也在“具体实施方式”部分中被充分描述。可以按照所描述的指导设计方法的描述将所述专有基础布局排列以建立高电流器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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