[发明专利]准备重启用于制造外延晶片的反应器的方法有效
| 申请号： | 201680044210.8 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107851553B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 姜东昊;赵万起 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/324;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及一种用于准备重启外延反应器的方法，以执行晶片的外延生长。该方法包括以下步骤：将氮气引入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体一定时间；根据时间非线性地升高所述处理室内部的温度；以及在生长外延晶片之后测量外延晶片的MCLT。根据实施方式的准备重启外延反应器的方法与现有方法相比以更快的速率去除滞留在处理室内的湿气和污染物，缩短了达到重启外延反应器的最小MCLT值所需的时间，由此也缩短了准备重启外延反应器的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 准备 启用 制造 外延 晶片 反应器 方法 | ||
【主权项】：
一种准备重启外延反应器的方法，作为一种准备重启在其中执行晶片的外延生长的外延反应器的工艺，所述方法包括以下步骤：将氮气气体注入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体预定时间；根据时间非线性地加热所述处理室内部；和在生长所述外延晶片之后测量所述外延晶片的MCLT。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
