[发明专利]锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法、以及半导体结构体在审
| 申请号： | 201680042083.8 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107848835A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 菊地谅介;中村透;羽藤一仁;长谷川哲也;广濑靖 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;B01J27/24;B01J35/02;B01J37/02;C23C14/06;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的锐钛矿型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如锐钛矿型铌氧氮化物膜(120))。 | ||
| 搜索关键词： | 锐钛矿型铌氧 氮化物 及其 制造 方法 以及 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种锐钛矿型铌氧氮化物，其具有锐钛矿型晶体结构，由化学式NbON表示。
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