[发明专利]锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法、以及半导体结构体在审
| 申请号： | 201680042083.8 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107848835A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 菊地谅介;中村透;羽藤一仁;长谷川哲也;广濑靖 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;B01J27/24;B01J35/02;B01J37/02;C23C14/06;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锐钛矿型铌氧 氮化物 及其 制造 方法 以及 半导体 结构 | ||
1.一种锐钛矿型铌氧氮化物，其具有锐钛矿型晶体结构，由化学式NbON表示。
2.根据权利要求1所述的锐钛矿型铌氧氮化物，其为半导体。
3.根据权利要求2所述的锐钛矿型铌氧氮化物，其为光学半导体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的锐钛矿型铌氧氮化物，其取向为(001)面。
5.一种半导体结构体，包含：至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板、和
在所述基板的所述一个主面上生长的权利要求1～4中任一项所述的锐钛矿型铌氧氮化物。
6.根据权利要求5所述的半导体结构体，其中，所述基板为铝酸镧基板或铝钽酸镧锶基板。
7.根据权利要求5或6所述的半导体结构体，其中，所述锐钛矿型铌氧氮化物取向为(001)面。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体结构体，其中，所述基板的所述钙钛矿型化合物取向为(001)面。
9.一种锐钛矿型铌氧氮化物的制造方法，其是权利要求1～4中任一项所述的锐钛矿型铌氧氮化物的制造方法，其中，
准备至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板，在所述基板的所述一个主面上通过外延生长法使铌氧氮化物生长。
10.根据权利要求9所述的锐钛矿型铌氧氮化物的制造方法，其中，所述外延生长法通过溅射法来实施。
11.根据权利要求10所述的锐钛矿型铌氧氮化物的制造方法，其中，使用由氧化铌形成的溅射靶，并且通过在氧和氮的混合气氛下的溅射，所述锐钛矿型铌氧氮化物进行成长。
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