[发明专利]使用间隔件蚀刻的沟槽形成围篱导体

摘要

间隔件蚀刻过程在多个半导体裸片中产生超窄导电线。在第一电介质(212)中形成沟槽，接着将牺牲膜(222)沉积到所述第一电介质及形成于其中的沟槽表面上。从所述第一电介质的面及所述沟槽的底部去除平面牺牲膜，从而仅在沟槽壁上留下牺牲膜(222a)。用第二电介质(212a)来填充所述沟槽壁上的所述牺牲膜之间的间隙。去除所述第二电介质的一部分以暴露所述牺牲膜的顶部。去除所述牺牲膜，从而留下填充有导电材料的超细间隙。暴露所述间隙中的所述导电材料的顶部以形成“围篱导体(218a)”。在适当位置处去除所述围篱导体的部分及周围绝缘材料以产生包括经隔离围篱导体的所要导体图案。

主权项

一种用于在半导体集成电路裸片中形成围篱导体的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底的一面上沉积第一电介质；在所述第一电介质中形成至少一个沟槽；在所述第一电介质上沉积牺牲膜，包含沉积于所述至少一个沟槽的壁及底部上；从所述第一电介质的面及所述至少一个沟槽的所述底部去除所述牺牲膜的部分，其中牺牲膜仅保留在所述至少一个沟槽的所述壁上；在所述至少一个沟槽的所述壁上的所述牺牲膜之间沉积第二电介质；去除所述第一电介质及所述第二电介质直到在所述第一电介质与所述第二电介质之间暴露所述牺牲膜的顶部部分为止；去除所述第一电介质与所述第二电介质之间的所述牺牲膜，从而在其中留下至少两个窄沟道；在所述第一电介质及所述第二电介质的所述面上且在所述至少两个窄沟道中沉积导电材料；及去除所述第一电介质及所述第二电介质的所述面上的所述导电材料的部分直到在所述至少两个窄沟道中仅暴露所述导电材料的顶部为止。