[发明专利]双功能混合存储单元在审
| 申请号： | 201680037455.8 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107924952A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 许富菖 | 申请（专利权）人： | NEO半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/28;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 何冲,黄隶凡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种双功能混合存储单元。在一方面，存储单元包括衬底、形成在衬底上的底部电荷俘获区、形成在底部电荷俘获区上的顶部电荷俘获区，以及形成在顶部电荷俘获区上的栅极层。在另一方面，公开了一种用于编程存储单元的方法，该存储单元具有衬底、底部电荷俘获层、顶部电荷俘获层以及栅极层。该方法包括对衬底的沟道区进行偏置，在栅极层和沟道区之间施加第一电压差，基于第一电压差将电荷从沟道区注入到底部电荷俘获层中。该方法还包括在栅极层和沟道区之间施加第二电压差，并基于第二电压差将电荷从底部电荷俘获层注入到顶部电荷俘获层中。 | ||
| 搜索关键词： | 功能 混合 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的底部电荷俘获区；形成在所述底部电荷俘获区上的顶部电荷俘获区；以及形成在所述顶部电荷俘获区上的栅极层。
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