[发明专利]用倾斜激光射束在供体基底的边缘区域中引导裂纹的方法有效
申请号: | 201680036953.0 | 申请日: | 2016-06-23 |
公开(公告)号: | CN107848067B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 马尔科·斯沃博达;克里斯蒂安·拜尔;弗朗茨·席林;扬·黎克特 | 申请(专利权)人: | 西尔特克特拉有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/304;B23K26/00;B28D1/00;B28D1/22;B28D5/00;C03B33/02;C03B33/09;C03B33/095;B23K26/53;B23K101/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于从供体基底(2)分离固体片(1)的方法。所述方法在此包括下述步骤:提供供体基底(2);借助于至少一个激光射束(12)在供体基底(2)的内部产生至少一个改性部(10),其中激光射束(12)经由供体基底(2)的平坦的表面(16)进入到供体基底(2)中,其中激光射束(12)相对于供体基底(2)的平坦的表面(16)倾斜成,使得所述激光射束以相对于供体基底的纵轴线的不等于0°或180°的角度进入到供体基底中,其中激光射束(12)为了产生改性部(10)在供体基底(2)中聚焦,其中固体片(1)通过所产生的改性部(10)从供体基底(2)剥离,或者在供体基底(2)的平坦的表面(16)上产生或设置应力产生层(14),并且通过热加载应力产生层(14)在供体基底(2)中产生机械应力,其中通过机械应力产生用于分离固体层(1)的裂纹(20),所述裂纹沿着改性部(10)扩展。 | ||
搜索关键词: | 倾斜 激光 供体 基底 边缘 区域 引导 裂纹 方法 | ||
【主权项】:
一种用于从供体基底(2)分离固体子层、尤其固体片(1)的方法,所述方法至少包括下述步骤:提供供体基底(2);借助于至少一个激光射束(12)在所述供体基底(2)的内部产生至少一个改性部(10),其中所述激光射束(12)经由所述供体基底(2)的平坦的表面(16)进入到所述供体基底(2)中,其中所述激光射束(12)相对于所述供体基底(2)的所述平坦的表面(16)倾斜成,使得所述激光射束以相对于所述供体基底的纵轴线的不等于0°或180°的角度进入到所述供体基底中,其中所述激光射束(12)为了产生所述改性部(10)在所述供体基底(2)中聚焦,其中所述固体片(1)通过所产生的改性部(10)从所述供体基底(2)剥离,或者在所述供体基底(2)的所述平坦的表面(16)上产生或设置应力产生层(14),并且通过热加载所述应力产生层(14)在所述供体基底(2)中产生机械应力,其中通过所述机械应力产生用于分离固体层(1)的裂纹(20),所述裂纹沿着所述改性部(10)扩展。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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