[发明专利]无鳍片凹陷和无栅极间隙壁下拉的鳍状场效晶体管间隙壁蚀刻

摘要

一种方法包括提供自基板的基板平面延伸的图案化特征，图案化特征包括半导体部分及处于未硬化状态的涂层，涂层沿顶部区及半导体部分的侧壁区延伸；将第一离子植入至涂层中，第一离子具有沿着基板平面的垂线的第一轨迹，其中第一离子形成沿着顶部区安置的蚀刻硬化部分，蚀刻硬化部分包括硬化状态；以及在涂层处使用第二离子引导反应性蚀刻，第二离子具有相对于垂线形成非零角度的第二轨迹，其中反应性蚀刻以第一蚀刻速率移除蚀刻硬化部分，其中第一蚀刻速率小于当第二离子在反应性蚀刻中被引导至处于未硬化状态的顶部部分时的第二蚀刻速率。

主权项

一种处理三维元件的方法，包括：提供自基板的基板平面延伸的图案化特征，所述图案化特征包括半导体部分及处于未硬化状态的涂层，所述涂层沿顶部区延伸且包括沿着所述半导体部分的侧壁区的侧壁部分；将第一离子植入至所述涂层中，所述第一离子具有沿着所述基板平面的垂线的第一轨迹，其中所述第一离子形成沿着所述顶部区安置的所述涂层的蚀刻硬化部分，所述蚀刻硬化部分包括硬化状态；以及在所述涂层处使用第二离子引导反应性蚀刻，所述第二离子具有相对于所述垂线形成非零角度的第二轨迹，其中所述反应性蚀刻以第一蚀刻速率移除所述蚀刻硬化部分，其中所述第一蚀刻速率小于当所述第二离子在所述反应性蚀刻中被引导至处于所述未硬化状态的所述涂层的所述顶部区时的第二蚀刻速率。