[发明专利]超平面化旋涂碳材料有效
| 申请号： | 201680036475.3 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107787520B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 钟幸福;黄润辉;张伯禹 | 申请（专利权）人： | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;C09D179/08;C09D131/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊;郭辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在单个薄层涂覆工艺中在使得表面平面化的同时在基材上填充通道和/或沟槽的平面化和旋涂‑碳(SOC)组合物。组合物可以使得具有约20nm至约220nm宽、且高达约700nm深的通道或沟槽的基材宽度范围平面化。这些出色的性质来自于在材料中使用的聚合物的低分子量、聚合物上的热不稳定保护基团、以及延迟的交联反应。 | ||
| 搜索关键词： | 平面化 旋涂碳 材料 | ||
【主权项】：
一种形成平面化层的方法，所述方法包括：在基材表面上形成平面化组合物的起始层，所述基材表面包括形成于其中的开口，所述平面化组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的化合物，所述化合物包含保护基团，并且所述起始层具有起始正偏差；以及对所述层进行加热，在此期间，开始从所述化合物去除所述保护基团，并且所述化合物进行交联以形成最终的平面化层，所述最终平面化层具有小于所述起始偏差且小于约30nm的最终偏差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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