[发明专利]用于降低基板温度非均匀性的改良式装置有效
| 申请号： | 201680032578.2 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107667418B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 阿伦·米勒;诺曼·L·塔姆;迈克尔·刘 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式提供盖组件，该盖组件包括盖件，该盖件具有多个通口，且每一通口具有低于1mm的直径，例如在约0.1mm至约0.9mm之间。盖件可设置于基板的设备侧表面与反射器板之间，皆设置于热处理腔室内。在热处理腔室内具有多个小通口的盖件的存在改善了在处理掺杂基板之后随着时间的热均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 温度 均匀 改良 装置 | ||
【主权项】：
一种处理腔室，包括：基板支撑件；能量源，所述能量源面对所述基板支撑件；反射器板，所述反射器板具有反射性表面，其中在所述能量源与所述反射器板之间设置所述基板支撑件；和盖件，在所述反射器板与所述基板支撑件之间设置所述盖件，其中所述盖件包含多个通口，且其中所述多个通口的每一通口具有低于1mm的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
