[发明专利]非易失性随机存取存储器中的复位电流递送有效
| 申请号： | 201680032516.1 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107667404B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | S.K.古利安尼;V.普拉格彦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例描述用于向非易失性随机存取存储器（NVRAM）（诸如，相变存储器（PCM）设备）提供复位电流的技术和配置。在实施例中，装置可以：包括NVRAM设备；选择镜电路，其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压以选择NVRAM设备的存储器单元；以及复位镜电路，其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压，以复位存储器单元。复位镜电压可以低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 随机存取存储器 中的 复位 电流 递送 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：非易失性随机存取存储器（NVRAM）设备；选择镜电路，其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压，以选择NVRAM设备的存储器单元；以及复位镜电路，其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压，以复位存储器单元，其中复位镜电压低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。
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