[发明专利]成像元件、电子器件、制造设备以及制造方法有效
| 申请号： | 201680028501.8 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107615487B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 高桥裕嗣 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/76;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及能够在抑制图像质量的任何下降的同时抑制像素尺寸的任何增加的成像元件和电子器件、制造设备以及制造方法。例如，成像元件包括元件隔离区域，元件隔离区域由绝缘体构成并且贯穿半导体层，半导体层具有形成在像素中的晶体管，像素包括用于光电转换入射光的光电转换部。另外，例如，电子器件包括成像部，成像部具有元件分离区域，元件隔离区域由绝缘体形成并且贯穿半导体层，半导体层具有形成在像素中的晶体管，像素包括用于光电转换入射光的光电转换部。本发明不仅可适用于成像元件和电子器件，例如，还可适用于用于制造根据本发明的成像元件和电子器件的制造设备和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 元件 电子器件 制造 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种成像元件，包括：元件隔离区域，所述元件隔离区域由绝缘体构成并贯穿半导体层，所述半导体层具有形成在像素中的晶体管，所述像素包括对入射光进行光电转换的光电转换部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
