[发明专利]具有对供电电压的受控灵敏度的环形振荡器架构有效
| 申请号： | 201680026876.0 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107580755B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 余欣欣;A·斯瓦米纳坦;C·韦内鲁斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/03 | 分类号： | H03K3/03;H03K3/011 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于控制环形振荡器级的供电灵敏度的方法和装置。该装置被配置为：经由电压偏置模块(608)，基于供电电压(vdd)生成用于PMOS偏置模块(604)的第一偏置信号并且基于供电电压生成用于NMOS偏置模块(606)的第二偏置信号；经由PMOS偏置模块，基于第一偏置信号偏置反相模块(602)的三极管PMOS退化；经由NMOS偏置模块，基于第二偏置信号偏置反相模块的三极管NMOS退化；经由反相模块接收输入(入)；并且经由反相模块，基于已偏置的三极管NMOS退化和已偏置的三极管PMOS退化来输出所接收的输入的反相版本(出)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 供电 电压 受控 灵敏度 环形 振荡器 架构 | ||
【主权项】：
一种用于控制环形振荡器级的供电灵敏度的装置，包括：反相模块，被配置为输出所接收的输入的反相版本；PMOS偏置模块，被配置为偏置所述反相模块的三极管PMOS退化；NMOS偏置模块，被配置为偏置所述反相模块的三极管NMOS退化；以及电压偏置模块，被配置为基于供电电压生成用于所述PMOS偏置模块的第一偏置信号，并且基于所述供电电压生成用于所述NMOS偏置模块的第二偏置信号，其中所述PMOS偏置模块基于所述第一偏置信号偏置所述反相模块的所述三极管PMOS退化，其中所述NMOS偏置模块基于所述第二偏置信号偏置所述反相模块的所述三极管NMOS退化，并且其中所述反相模块基于已偏置的所述三极管NMOS退化和已偏置的所述三极管PMOS退化来输出所接收的所述输入的所述反相版本。
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