[发明专利]具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201680025551.0 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107636813B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | H·B·蔚;D·W·金;J·S·李 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/683;H01L21/768;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开的一些示例的半导体封装可包括：具有嵌入在基板中的桥的基板、耦合至该基板的第一管芯和第二管芯、以及基板中的将桥耦合至第一管芯和第二管芯的多个导电桥互连。该多个导电桥互连可具有：直接耦合至该桥的第一桥接触层、在第一桥接触层上的第一焊料层、在第一焊料层上的第二桥接触层、在第二桥接触层上的第二焊料层、以及直接耦合至第一管芯和第二管芯中的一者的管芯接触层，其中该多个导电桥互连被嵌入在基板中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高密度 管芯 连接 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：具有第一多个通孔的基板；嵌入在所述基板中的桥；耦合至所述基板的第一管芯；耦合至所述基板且与所述第一管芯水平间隔开的第二管芯；以及至少部分地在所述基板中的多个导电桥互连，所述多个导电桥互连配置成将所述桥耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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