[发明专利]外延硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201680024967.0 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107533959B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 野中直哉;川岛正 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B29/06;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延硅晶片的制造方法，所述方法包括：背面氧化膜形成工序，在硅晶片的背面形成氧化膜；背面氧化膜去除工序，去除存在于硅晶片的外周部的氧化膜；氩退火工序，在氩气气氛下进行热处理；及外延膜形成工序，在硅晶片的表面形成外延膜，外延膜形成工序具有：预烘焙工序，在包含氢及氯化氢的气体气氛下对硅晶片进行热处理，从而蚀刻硅晶片的表层；及外延膜生长工序，使外延膜在硅晶片的表面生长。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片中，在添加了磷的硅晶片的表面设有外延膜，所述方法的特征在于，包括：背面氧化膜形成工序，在从通过CZ法制造的单晶锭切出的硅晶片的背面形成氧化膜；背面氧化膜去除工序，去除存在于所述硅晶片的外周部的所述氧化膜；氩退火工序，在氩气气氛下对所述背面氧化膜去除工序后的所述硅晶片进行热处理；及外延膜形成工序，在所述氩退火工序后的所述硅晶片的表面形成外延膜，所述外延膜形成工序具有：预烘焙工序，在包含氢及氯化氢的气体气氛下对所述硅晶片进行热处理，从而蚀刻所述硅晶片的表层；及外延膜生长工序，使所述外延膜在所述预烘焙工序后的所述硅晶片的表面生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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