[发明专利]用于使晶圆再生的含有含碳硅氧化物的材料的清洗液及清洗方法有效
| 申请号： | 201680021359.4 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107431014B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 尾家俊行;岛田宪司 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;C11D1/40;C11D1/62;C11D3/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供在具有含有含碳硅氧化物(SiOC)的材料的晶圆的制造工序中用于去除晶圆表面上的SiOC的清洗液、及使用其的清洗方法。本发明的清洗液的特征在于，包含氟化合物2质量％～30质量％、属于铵盐或胺的特定阳离子性表面活性剂0.0001质量％～20质量％及水，并且pH值为0～4。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使晶圆 再生 含有 含碳硅 氧化物 材料 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗液，其特征在于，用于去除晶圆表面上的含碳硅氧化物，所述清洗液包含氟化合物2质量％～30质量％、属于以分子中仅具有1个碳数为10以上的烷基为特征的铵盐或胺的阳离子性表面活性剂0.0001质量％～20质量％、以及水，并且pH值为0～4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
