[发明专利]氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201680013345.8 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107406966B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 冈崎健一;肥塚纯一;生内俊光;斋藤晓;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;G09F9/30;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×10 |
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| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 包括 装置 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体膜，包括：In；M；Zn；以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm‑2eV‑1的区域，其中，M为Al、Ga、Y或Sn。
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