[发明专利]非晶态烃基膜、以及具有所述膜的滑动构件和滑动系统有效
申请号: | 201680008136.4 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107208263B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 加藤孝久;野坂正隆;远山护;村濑笃;中井恭子;铃木雅裕 | 申请(专利权)人: | 株式会社捷太格特;国立大学法人东京大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C10M103/02;F16C19/00;F16C33/12;F16C33/24;F16C33/64 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种低摩擦覆膜5,其包含:在红外吸收光谱中的2900cm‑1至3000cm‑1的区域中显示峰的脂族烃基;在红外吸收光谱中的1650cm‑1至1800cm‑1的区域中显示峰的羰基;在通过TOF‑SIMS获得的正离子谱图中的91.1的质量处显示峰的芳族成分(C7H7+);以及在通过TOF‑SIMS获得的正离子谱图中的115.2的质量处显示峰的稠环类成分(C9H7+)。 | ||
搜索关键词: | 晶态 烃基膜 以及 有所 滑动 构件 系统 | ||
【主权项】:
1.一种滑动构件,其包含:包含第一覆膜的滑动面,其中所述滑动构件由金属和陶瓷中的至少一者形成,并且其中所述第一覆膜包含一种非晶态烃基膜,所述非晶态烃基膜包含:在红外吸收光谱中的2900cm‑1至3000cm‑1的区域中显示峰的脂族烃基;和在通过飞行时间二次离子质谱法获得的正离子谱图中的91.1的质量处显示峰的芳族成分和在通过飞行时间二次离子质谱法获得的正离子谱图中的115.2的质量处显示峰的稠环类成分中的至少一者。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的