[发明专利]低功率、面向行的存储器写辅助电路有效
| 申请号： | 201680007958.0 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107408409B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰·克里斯汀·霍尔斯特 | 申请（专利权）人： | 思科技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的多个方面总地涉及静态随机存取存储器(SRAM)，更具体地涉及低功率、面向行的存储器写辅助电路。SRAM一般可以包括：按行和列布置的位单元的阵列，其中，行中的每个位单元被选择用于经由针对该行的相应字线写入，并且其中，列中的每个位单元被耦合到用于提供互补数据值的相应的一对位线；以及至少一个面向行的写辅助电路，被配置为临时将用于向被选择用于写入的行的位单元供电的内部电压线上的电压降低到期望电压等级。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 面向 存储器 辅助 电路 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器(SRAM)设备，所述SRAM设备包括：按行和列布置的位单元的阵列，其中，行中的每个位单元被选择用于经由针对该行的相应字线写入，并且其中，列中的每个位单元被耦合到用于提供互补数据值的相应的一对位线；以及至少一个面向行的写辅助电路，被配置为临时将用于向被选择用于写入的行的位单元供电的内部电压线上的电压降低到期望电压等级。
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