[发明专利]连续扩散可配置标准单元架构

摘要

具有连续有源区域的至少一个可配置电路单元包括至少一个中央子单元、第一侧子单元和第二侧子单元。每个中央子单元包括第一和第二pMOS晶体管，以及第一和第二nMOS晶体管。该第一pMOS晶体管具有第一pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第二pMOS晶体管具有第二pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第一pMOS晶体管漏极和该第二pMOS晶体管漏极是同一漏极。该第一nMOS晶体管具有第一nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第二nMOS晶体管具有第二nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第一nMOS晶体管漏极和该第二nMOS晶体管漏极是同一漏极。

主权项

一种包括至少一个可配置电路单元的半导体管芯，所述至少一个可配置电路单元包括：至少一个中央子单元，所述至少一个中央子单元中的每一个中央子单元包括：第一p型金属氧化物半导体(pMOS)晶体管，其具有第一pMOS晶体管栅极、第一pMOS晶体管源极和第一pMOS晶体管漏极，所述第一pMOS晶体管源极耦合到第一电压源；以及第二pMOS晶体管，其具有第二pMOS晶体管栅极、第二pMOS晶体管源极和第二pMOS晶体管漏极，所述第二pMOS晶体管源极耦合到所述第一电压源，所述第一pMOS晶体管漏极和所述第二pMOS晶体管漏极是同一漏极；第一n型金属氧化物半导体(nMOS)晶体管，其具有第一nMOS晶体管栅极、第一nMOS晶体管源极和第一nMOS晶体管漏极，所述第一nMOS晶体管源极耦合到第二电压源；以及第二nMOS晶体管，其具有第二nMOS晶体管栅极、第二nMOS晶体管源极和第二nMOS晶体管漏极，所述第二nMOS晶体管源极耦合到所述第二电压源，所述第一nMOS晶体管漏极和所述第二nMOS晶体管漏极是同一漏极；所述至少一个中央子单元的第一侧上的第一侧子单元；以及所述至少一个中央子单元的第二侧上的第二侧子单元，所述至少一个中央子单元、所述第一侧子单元和所述第二侧子单元具有连续有源区域。