[发明专利]连续扩散可配置标准单元架构

说明书

具有连续有源区域的至少一个可配置电路单元包括至少一个中央子单元、第一侧子单元和第二侧子单元。每个中央子单元包括第一和第二pMOS晶体管，以及第一和第二nMOS晶体管。该第一pMOS晶体管具有第一pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第二pMOS晶体管具有第二pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第一pMOS晶体管漏极和该第二pMOS晶体管漏极是同一漏极。该第一nMOS晶体管具有第一nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第二nMOS晶体管具有第二nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第一nMOS晶体管漏极和该第二nMOS晶体管漏极是同一漏极。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年1月22日提交的题为“continuous diffusion configurablestandard cell architecture(连续扩散可配置标准单元架构)”的美国专利申请No.14/603,262的权益，其通过援引全部明确纳入于此。

背景

领域

本公开一般涉及布局构造，并且尤其涉及连续扩散可配置标准单元架构。

背景技术

标准单元是可以用数字逻辑来实现的集成电路。专用集成电路(ASIC)(诸如片上系统(SoC)器件)可包含数千至数百万的标准单元。增加ASIC内的可配置标准单元的晶体管密度是有益的。相应地，需要一种可配置标准单元架构，其提供增加ASIC中的可配置标准单元内的晶体管密度。

概述

在本公开的一方面，包括至少一个可配置电路单元的半导体管芯包括至少一个中央子单元、第一侧子单元和第二侧子单元。至少一个中央子单元中的每一个中央子单元包括第一p型金属氧化物半导体(pMOS)晶体管、第二pMOS晶体管、第一n型金属氧化物半导体(nMOS)晶体管、和第二nMOS晶体管。该第一pMOS晶体管具有第一pMOS晶体管栅极、第一pMOS晶体管源极和第一pMOS晶体管漏极。该第一pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第二pMOS晶体管具有第二pMOS晶体管栅极、第二pMOS晶体管源极和第二pMOS晶体管漏极。该第二pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第一pMOS晶体管漏极和该第二pMOS晶体管漏极是同一漏极。该第一nMOS晶体管具有第一nMOS晶体管栅极、第一nMOS晶体管源极和第一nMOS晶体管漏极。该第一nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第二nMOS晶体管具有第二nMOS晶体管栅极、第二nMOS晶体管源极和第二nMOS晶体管漏极。该第二nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第一nMOS晶体管漏极和该第二nMOS晶体管漏极是同一漏极。该第一侧子单元在该至少一个中央子单元的第一侧上。该第二侧子单元在该至少一个中央子单元的第二侧上。该至少一个中央子单元、该第一侧子单元、和该第二侧子单元具有连续有源区域。