[实用新型]外延涂覆的硅晶片有效
| 申请号： | 201621381909.7 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN207362367U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | W·阿尔特斯;J·V·霍恩;R·吉科尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本实用新型涉及一种硅晶片，具有在其正面上外延涂覆的外延层并且不具有滑移线的，其特征在于所述外延层具有40μm至150μm的厚度，并且晶片在其正面上具有不大于0.8μm的局部平整度SFQR |
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| 搜索关键词： | 外延 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片，具有在其正面上外延涂覆的外延层并且不具有滑移线，其特征在于所述外延层具有40μm至150μm的厚度，并且所述晶片在其正面上具有不大于0.8μm的局部平整度SFQRmax 。
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