[实用新型]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED有效
| 申请号： | 201621192392.7 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN206834195U | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨美娟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于纳米阵列LED生长与制备的技术领域，公开了生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED。所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 镓酸锂 衬底 极性 纳米 led | ||
【主权项】：
生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。
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