[实用新型]压力传感器及β型PVDF薄膜的高压极化设备有效
| 申请号： | 201621154192.2 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN206210807U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈帅;倪文海;徐文华 | 申请（专利权）人： | 杭州迦美信芯通讯技术有限公司;上海迦美信芯通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 尹兵,苗绘 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市经济技术开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种压力传感器及β型PVDF薄膜的高压极化设备。所述压力传感器中，在SiC衬底层上生长的外延层，包含GaN沟道层及该GAN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层上分别形成有源极、漏极；在所述AlGaN帽层的栅极位置上设置有经过高压极化的β型PVDF薄膜。本实用新型充分结合PVDF和HEMT的特点，制成的新型异质结压力传感器，可以有效提高感应灵敏度。本实用新型所述β型PVDF薄膜的高压极化设备，实现对PVDF薄膜样品的高压极化，提高了β型PVDF份额。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 pvdf 薄膜 高压 极化 设备 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器设有SiC衬底层；所述衬底层上设置有外延层，所述外延层包含GaN沟道层及该GaN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层上分别设置有源极、漏极的接触电极；在所述AlGaN帽层的栅极位置上设置有β型PVDF薄膜。
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