[实用新型]一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路有效
| 申请号： | 201620955777.8 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN205960421U | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 马胜利;王泮义;王庆飞 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，包括升压储能电路，包括外接的第一电源、激光驱动双脉冲信号、第一电感、第一电阻、第一二极管、第一电容和/或第二电容、第一MOS管，用于产生激励激光管发光的高压；MOS管驱动电路，包括外部双脉冲激光驱动信号、外接的第二电源、第四电容和MOS管栅极驱动芯片，用于放大激光驱动信号并且控制第一MOS管和第二MOS管；以及半导体激光管发光电路，包括半导体激光器、第二二极管、第二MOS管、第三电容和第二电阻，用于产生激光脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 脉冲 半导体激光器 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种微型窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述电路包括：升压储能电路(101)，包括：外接的第一电源(V1)、激光驱动双脉冲信号(TTLOUT)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第一电容(C1)和/或第二电容(C2)、第一MOS管(Q1)，用于产生激励激光管发光的高压；MOS管驱动电路(102)，包括：外部双脉冲激光驱动信号(TTLIN)、外接的第二电源(V2)、第四电容(C4)和MOS管栅极驱动芯片(U1)，用于放大激光驱动信号并且控制第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)；以及半导体激光管发光电路(103)，包括：半导体激光器(LD)、第二二极管(D2)、第二MOS管(Q2)、第三电容(C3)和第二电阻(R2)，用于产生激光脉冲。
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