[实用新型]一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管有效
| 申请号： | 201620911711.9 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN205984897U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘忠玉;骆宗友 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 肖平安 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，包括封装体和二极管本体，二极管本体置于封装体内部，二极管本体包括芯片、金属触点和引线，金属触点分别设在芯片的上、下表面，芯片的左右两侧分别设有引脚，芯片的上下方金属触点通过引线分别和左右两侧引脚电性连接，引脚尾部延伸至封装体的外部,引脚尾部的外表面设有松香层，所述松香层远离封装体的一端设有锡块，锡块上设有凸纹。本实用新型的有益效果是采用二次扩散工艺，改善表面欧姆接触层的合金质量和可焊性，提高了芯片的耐压性和可靠性；引脚尾部设置松香层和锡块，便于后期焊接二极管时能够减少在引脚加锡的步骤；封装体表面添加降温层，避免二极管在长时间工作中由于温度过高而导致损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 耐压 恢复 芯片 二极管 | ||
【主权项】：
一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：包括封装体(1)和二极管本体(2)，所述二极管本体(2)置于封装体(1)内部，所述二极管本体(2)包括芯片(3)、金属触点(4)和引线(5)，所述金属触点(4)分别设在芯片(3)的上、下表面，所述芯片(3)的左右两侧分别设有引脚(7)，所述芯片(3)的上方金属触点(4)通过引线(5)和左侧引脚(7)电性连接，所述芯片(3)的下方金属触点(4)通过引线(5)和右侧引脚(7)电性连接，所述引脚(7)尾部延伸至封装体(1)的外部,所述引脚(7)尾部的外表面设有松香层(8)，所述松香层(8)远离封装体(1)的一端设有锡块(9)，所述锡块(9)设有凸纹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
