[实用新型]一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201620853240.0 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN206022379U | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/04 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙)44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池,包括从下往上依序为背电极、背电场、P型硅、减反膜和正电极,背电场、P型硅、减反膜为层叠式设置,所述P型硅与减反膜之间层叠有若干层N型纳米硅薄膜,所述N型纳米硅薄膜边长小于P型硅边长,若干层N型纳米硅薄膜和P型硅表面没被N型纳米硅薄膜覆盖的部分由减反膜全部覆盖。与现有技术相比,本实用新型的一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池具有N型纳米硅薄膜的表面浓度低且可控,p‑n具有表面浓度低,结深小,p‑n结的质量和电池的转换效率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 浓度 组装 结晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池,包括从下往上依序为背电极、背电场、P型硅、减反膜和正电极,背电场、P型硅、减反膜为层叠式设置,其特征在于:所述P型硅与减反膜之间层叠有若干层N型纳米硅薄膜,所述N型纳米硅薄膜边长小于P型硅边长,若干层N型纳米硅薄膜和P型硅表面没被N型纳米硅薄膜覆盖的部分由减反膜全部覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的